Authors: A DAmico G Cappuccio G Petrocco A Buonomo
Publish Date: 2008/01/22
Volume: 53, Issue: 2, Pages: 455-461
Abstract
This work shows some experimental results concerning the flicker noise 1/fα behaviour in semiconductor thin films of PbTe obtained by the radiofrequency sputtering technique in dependence of suitable annealing processes Noise measurements have been carried out before and after annealing at a temperature close to 788 K where infrared detectors made by this material usually work Further results relative to the following structures AuPbTeAu and InPbTeIn are given and discussedВ работе приводятся и обсуждаются некоторые экспериментальные результаты относящиеся к изменению шума 1/fα в полупроводниковых тонких пленках PbTe полученных с помощью радиочастотной техники напыления в зависимости от соответствующих процессов отжига Измерения шума проводятся до и после отжига при темпертуре близкой к 788 К при которой обычно работают инфракрасные детекторы сделанные из такого материала Приводятся и обсуждаются редультаты относящиеся с следующнм структурам AuPbTeAu и InPbTeInIn questo lavoro si presentano e discutono alcuni risultati sperimentali relativi alla variazione del rumore in eccesso 1/fα rilevata in film sottili semiconduttori di PbTe ottenuti tramite sputtering a radiofrequenza in conseguenza di opportuni trattamenti termici Le misure di rumore sono state eseguite prima e dopo i trattamenti termici alla temperatura di 788 K temperatura alla quale i rivelatori fotoconduttivi per linfrarosso fatti con tale materials normalmente lavorano Le strutture utilizzate e confrontate sono del tipo AuPbTeAu e InPbTeIn
Keywords: